Основные параметры полевого транзистора 2SK906

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 32A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 120/180nS
Входная емкость (Сiss): 3000pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.06 Ом
Производитель: FUJI
Тип корпуса: TO-3P
Найти datasheet