Основные параметры полевого транзистора 2SK950

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 80W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 500V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 60/90nS
Входная емкость (Сiss): 1800pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.2 Ом
Производитель: FUJI
Тип корпуса: TO-220AB
Найти datasheet