Основные параметры полевого транзистора 3N169

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 800mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 25V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 35V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 30mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 10/15nS
Входная емкость (Сiss): 5nF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.2 Ом
Производитель: N/A
Тип корпуса: TO72
Найти datasheet