Справка

Основные параметры полевого транзистора 3N175

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 225mW
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 35V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 50mA
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 30/150nS
  
• Входная емкость (Сiss): 5nF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.2 Ом
  
• Производитель: N/A
  
• Тип корпуса: TO72
• Найти datasheet