Справка

Основные параметры полевого транзистора 3N190

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: P-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 375mW
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 40V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 40V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 6.5V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 50mA
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Входная емкость (Сiss): 4.5pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 300 Ом
  
• Производитель: LINEAR SYS
  
• Тип корпуса: TO99
• Найти datasheet