Справка

Основные параметры полевого транзистора 3N209

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300mW
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 25V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 30V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 30mA
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 200°C
  
• Входная емкость (Сiss): 7pF
  
• Производитель: N/A
  
• Тип корпуса: TO-72
• Найти datasheet