Основные параметры полевого транзистора 3SK129

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 350mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 13V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 3.5V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 50mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 0.02pF
Производитель: N/A
Тип корпуса: TO-252
Найти datasheet