vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 3SK131
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 3SK131

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 200mW
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 8V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 25mA
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Входная емкость (Сiss): 6.5pF
    • Производитель: N/A
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    3SK101 MOSFETN-channel200mW20V 9V30mA 4.3pFTO-131
    3SK102 MOSFETN-channel200mW20V 9V30mA 5pFTO-131
    3SK122 MOSFETN-channel200mW20V 8V25mA 6.5pFTO-131
    3SK123 MOSFETN-channel200mW18V 8V25mA 2.5pFTO-131
    3SK123AK MOSFETN-channel200mW18V 8V25mA 2.5pFTO-131
    3SK123AL MOSFETN-channel200mW18V 8V25mA 2.5pFTO-131
    3SK37 MOSFETN-channel230mW20V 8V25mA 6pFTO-72
    BF960 MOSFETN-channel200mW20V 8.5V20mA 0.8pFSOT-103
    BF960S MOSFETN-channel200mW20V 8.5V30mA 0.8pFMACRO-X
    BF965 MOSFETN-channel200mW20V 8.5V30mA 1pFMACRO-X
    BF966 MOSFETN-channel225mW20V 8.5V30mA 2.6pFSOT-103
    BF966S MOSFETN-channel200mW20V 8.5V30mA 2.6pFMACRO-X
    BF980 MOSFETN-channel225mW18V 8V30mA 3pFSOT-103
    Яндекс.Метрика