Основные параметры полевого транзистора 3SK17

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 15V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 10mA
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 125°C
Входная емкость (Сiss): 4pF
Производитель: N/A
Тип корпуса: TO-72
Найти datasheet