vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 40600
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 40600

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 400mW
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 8V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 50mA
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
    • Входная емкость (Сiss): 5.5pF
    • Производитель: N/A
    • Тип корпуса: TO-72
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    3N159 MOSFETN-channel400mW20V 8V50mA 7pFTO-72
    3SK70 MOSFETN-channel360mW20V 8V50mA 2.4pFTO-72
    40601 MOSFETN-channel400mW20V 8V50mA 5.5pFTO-72
    40602 MOSFETN-channel400mW20V 8V50mA 5.5pFTO-72
    40603 MOSFETN-channel400mW20V 8V50mA 5.5pFTO-72
    40604 MOSFETN-channel400mW20V 8V50mA 5.5pFTO-72
    40673 MOSFETN-channel330mW20V 9V50mA 6pFTO-72
    40820 MOSFETN-channel330mW20V 9V50mA 8.5pFTO-72
    40822 MOSFETN-channel330mW18V 9V50mA 9.5pFTO-72
    HEPF2004 MOSFETN-channel400mW20V 9V50mA TO-72
    Яндекс.Метрика