Справка

Основные параметры полевого транзистора ALD1101MA

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 500mW
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 12V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 12V
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 125°C
  
• Входная емкость (Сiss): 10pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 75 Ом
  
• Производитель: N/A
  
• Тип корпуса: TO-92
• Найти datasheet