Справка

Основные параметры полевого транзистора APT1001R1HN

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 30V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.5A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 32/48nS
  
• Входная емкость (Сiss): 2950pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.1 Ом
  
• Производитель: Advanced Power
  
• Тип корпуса: TO258
• Найти datasheet