Основные параметры биполярного транзистора 2SB333

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 40V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 40V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 ... 70
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO36
Найти datasheet