Основные параметры биполярного транзистора 2SB34

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 85
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO40
Найти datasheet