Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2SB354

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 70W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 60V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 60V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150KHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 150
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: FUJITSU
  
• Корпус: TO36
  
• Найти datasheet