Основные параметры биполярного транзистора 2SB384

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: SONY
Корпус: TO1
Найти datasheet