Основные параметры биполярного транзистора 2SB426-B

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 32V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 7A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 85 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO3
Найти datasheet