Справка

Основные параметры биполярного транзистора 2SB444

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: HITACHI
  
• Корпус: TO1
  
• Найти datasheet