Основные параметры биполярного транзистора 2SB457A

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 32V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 110
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: MITSUBISHI
Корпус: TO1
Найти datasheet