Основные параметры биполярного транзистора 2SB478

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 130
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: MATSUSHITA
Корпус: TO36
Найти datasheet