|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB50Основные параметры биполярного транзистора 2SB50 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 140mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 65°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 130
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
- Производитель: SONY
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N2621 |
Ge | pnp | 150mW | 15V | - | - | 100mA | 13MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N2624 |
Ge | pnp | 150mW | 15V | - | - | 100mA | 13MHz | 15 (min) | TO5 | | 2N2627 |
Ge | pnp | 150mW | 15V | - | - | 100mA | 13MHz | 15 (min) | TO5 | | 2SB48 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1MHz | 42 | TO5 | | 2SB49 |
Ge | pnp | 140mW | 16V | - | - | 100mA | 1.2MHz | 83 | TO5 | | GT5116 |
Ge | pnp | 120mW | 15V | ## | ## | 100mA | 20MHz | 20 (min) | TO9 | | HSE1300 |
Ge | pnp | 150mW | 13V | ## | ## | 100mA | ## | 20 (min) | TO5 | |
|
|
|