Основные параметры биполярного транзистора 2SB531

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 90V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO3
Найти datasheet