Основные параметры биполярного транзистора 2SB60A

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO1
Найти datasheet