Основные параметры биполярного транзистора 2SB64

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 25W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 6A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 160
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO3
Найти datasheet