Основные параметры биполярного транзистора 2SB66

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 70mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
Емкость коллекторного перехода (Cc): 60 pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO1
Найти datasheet