Основные параметры биполярного транзистора 2SB807

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 150V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 180°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 90 ... 450
Емкость коллекторного перехода (Cc): 4 pF
Производитель: MATSUSHITA
Корпус: SP0
Найти datasheet