Основные параметры биполярного транзистора 2SB817D

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 160V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 12A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.5MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 120
Емкость коллекторного перехода (Cc): 300 pF
Производитель: SANYO
Корпус: TO220
Найти datasheet