Основные параметры биполярного транзистора 2SB850

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
Емкость коллекторного перехода (Cc): 340 pF
Производитель: NEC
Корпус: TO218
Найти datasheet