Основные параметры биполярного транзистора 2SB890

Материал: Si
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 9V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 9V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 90 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: HITACHI
Корпус: TO92
Найти datasheet