Основные параметры биполярного транзистора 2SC1017

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 4W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 75V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: MITSUBISHI
Корпус: TO218
Найти datasheet