Основные параметры биполярного транзистора 2N1673

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 175
Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
Производитель: SYL
Корпус: TO33-1
Найти datasheet