Основные параметры биполярного транзистора 2SC1480

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 7W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 36V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50
Емкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO128
Найти datasheet