Основные параметры биполярного транзистора 2G101

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 5 pF
Производитель: TI
Корпус: TO5
Найти datasheet