Основные параметры биполярного транзистора 2SC2010

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 150
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pF
Производитель: SONY
Корпус: TO92
Найти datasheet