Основные параметры биполярного транзистора 2SC2383-R

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 900mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 160V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 120
Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
Производитель: SAMSUNG
Корпус: TO92
Найти datasheet