Основные параметры биполярного транзистора 2SC2676

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 400
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: SOT33
Найти datasheet