Основные параметры биполярного транзистора 2G20

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1.5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1.5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 130mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 125
Емкость коллекторного перехода (Cc): 47 pF
Производитель: STE
Корпус: TO1
Найти datasheet