Основные параметры биполярного транзистора 2SC3110

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4.5GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 250
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO236
Найти datasheet