|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC3190Основные параметры биполярного транзистора 2SC3190 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 80
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: HITACHI
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC3414 |
Si | npn | 400mW | 40V | - | - | 100mA | 200MHz | 10 (min) | X73 | | 2SC3521 |
Si | npn | 350mW | 40V | - | - | 100mA | - | 40 ... 300 | TO236 | | 2SC3811 |
Si | npn | 400mW | 40V | - | - | 100mA | 450MHz | 40 ... 60 | TO92 | | 2SD1206 |
Si | npn | 400mW | 30V | - | - | 100mA | - | 100 | X73 | | 2SD1477 |
Si | npn | 400mW | 30V | - | - | 100mA | - | 20 ... 80 | SOT23 | | 2SD1991 |
Si | npn | 400mW | 30V | - | - | 100mA | - | 40 (min) | SOT33 | | 2SD1993 |
Si | npn | 400mW | 35V | - | - | 100mA | - | 40 (min) | SOT33 | |
|
|
|