Основные параметры биполярного транзистора 2SC3301

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 80mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: SP0
Найти datasheet