Основные параметры биполярного транзистора 2SC3512

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 600mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: TO92
Найти datasheet