Основные параметры биполярного транзистора 2G229

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350KHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TI
Корпус: TO3
Найти datasheet