Основные параметры биполярного транзистора 2SC3770-3

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 280mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.2GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 120
Емкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pF
Производитель: SANYO
Корпус: TO236
Найти datasheet