Основные параметры биполярного транзистора 2SC3779

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 600mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 3V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 3V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 200
Емкость коллекторного перехода (Cc): 1 pF
Производитель: SANYO
Корпус: TO92
Найти datasheet