|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC3966Основные параметры биполярного транзистора 2SC3966 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.3GHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70 ... 240
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: TOSHIBA
- Корпус: TO131
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC2915 |
Si | npn | 175W | 35V | - | - | 20A | 85MHz | 30 (min) | TO129 | | 2SC2917 |
Si | npn | 175W | 35V | - | - | 20A | 85MHz | 40 (min) | TO129 | | 2SC328 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 20mA | 750MHz | 30 (min) | TO72 | | 2SC329 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 20mA | 750MHz | 30 (min) | TO72 | | 2SC3391 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 20mA | 940MHz | 45 (min) | X71 | | 2SC3967 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 20mA | 1.3GHz | 20 (min) | TO236 | | 2SC4229 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 20mA | 1GHz | 60 ... 120 | TO236 | | 2SC4462 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 20mA | 700MHz | 70 ... 240 | TO236 | |
|
|
|