Основные параметры биполярного транзистора 2N2098

Материал: Ge
Структура: pnp
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500MHz
Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Производитель: SPRAGUE
Корпус: TO9
Найти datasheet