Основные параметры биполярного транзистора 2SC4195

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pF
Производитель: FUJITSU
Корпус: U29-1
Найти datasheet