Основные параметры биполярного транзистора 2SC4200

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 5W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 600mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5GHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: ISO126
Найти datasheet