|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC4365Основные параметры биполярного транзистора 2SC4365 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3GHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 120 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: TO236
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC2691 |
Si | npn | 200mW | 20V | - | - | 50mA | 100MHz | 120 | TO92 | | 2SC3501 |
Si | npn | 200mW | 20V | - | - | 50mA | 3.5GHz | 30 (min) | TO50-1 | | 2SC3793 |
Si | npn | 200mW | 20V | - | - | 50mA | 2.9GHz | 20 (min) | TO236 | | 2SC3839 |
Si | npn | 180mW | 30V | - | - | 50mA | 2GHz | 40 ... 240 | TO236 | | 2SC3881 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 600MHz | 160 (min) | TO236 | | 2SC4074 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | ## | 50mA | 1.5GHz | 350 (min) | TO236 | | 2SC4100M |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 39 ... 82 | SOT323 | | 2SC4463 |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 600MHz | 20 (min) | TO236 | | AT-41411 |
Si | npn | 225mW | 20V | ## | ## | 50mA | 7GHz | 30 ... 270 | SOT143 | | MRF914 |
Si | npn | 200mW | 20V | ## | ## | 40mA | 4.5GHz | ## | TO72 | | 2SC4100N |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 39 ... 82 | SOT323 | | 2SC4100P |
Si | npn | 200mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 82 ... 180 | SOT323 | |
|
|
|