Основные параметры биполярного транзистора 2SC4555

Материал: Si
Структура: npn
Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 900mW
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 200 (min)
Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
Производитель: TOSHIBA
Корпус: TO236
Найти datasheet